| 基础材料 |
• 铝：1.0–3.2 毫米（标准：1.6 毫米） |
| • 铜：0.5–3.0 毫米 |
| • 陶瓷（AlN，Al₂O₃）：0.38–1.0 毫米 |
| 热导率 |
• 铝：1.0 – 3.0 W/m·K |
| • 铜：385 W/m·K |
| • 陶瓷（氮化铝）：170–200 W/m·K |
| 介电层 |
• 厚度：75μm / 100μm / 150μm / 200μm |
| • 导热系数：0.3 – 3.0 W/m·K |
| • 介电强度：≥3 kV（符合 IPC-TM-650 2.5.7 标准） |
| 层数 |
1-4层（单/双面金属芯；多层，带埋入式信号层） |
| 最小行距 |
0.1 毫米 / 0.1 毫米（4 密尔 / 4 密尔） |
| 最小孔径 |
机械精度：0.2 毫米（8 密尔） |
| 激光（用于陶瓷）：0.1 毫米（4 密尔） |
| 表面处理 |
ENIG（2–5μ" Au）、浸银、OSP、HASL（无铅）、ENEPIG |
| 热阻 |
低至 0.3°C/W（根据 JEDEC JESD51-14 测量） |
| 特殊技术 |
• 用于SiC/GaN功率模块的直接键合铜（DBC） |
| • 具有高压隔离功能的绝缘金属基板（IMS） |
| • 混合型MCPCB：FR-4 + 金属芯区 |
| 质量与测试 |
• 热阻抗映射（T3Ster） |
| • X射线检测芯片粘接空隙 |
| • 热循环：-40°C ↔ +150°C（1000 次循环） |
| • UL 94 V-0 阻燃等级 |
| 认证 |
IPC-4101 Class 2/3, UL Certified, ISO 9001, IATF 16949, AS9100D |
| 交货时间 |
原型制作：5-7天 |
| 小批量：7-10天 |
| 紧急（最高优先级）：72 小时 |
